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NTE253 PDF下载
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- 厂家：NTE Electronics
- 描述： T-NPN- DARL 80 V-HFE2000 T-NPN, DARL 80 V,HFE2000 NTE Silicon Darlington Transistor, Maximum Collector Power Dissipation: 40 W, Maximum Continuous Collector Current: 4 A, Maximum Breakdown Voltage: 80 V, Maximum Continuous Base Current: 100 mA, Typical Forward Current Gain: 2000, Case Style: TO126
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